Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 240 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚, PSMN1R4-40YLDX, NextPower-S3 technology系列
- RS 库存编号:
- 219-474P
- 制造商零件编号:
- PSMN1R4-40YLDX
- 制造商:
- Nexperia
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 99 | RMB13.62 |
| 100 - 499 | RMB12.55 |
| 500 - 999 | RMB11.58 |
| 1000 + | RMB10.41 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 219-474P
- 制造商零件编号:
- PSMN1R4-40YLDX
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 240A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | NextPower-S3 technology | |
| 包装类型 | LFPAK | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.4mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 45nC | |
| 最大功耗 Pd | 238W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 240A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 NextPower-S3 technology | ||
包装类型 LFPAK | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.4mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 45nC | ||
最大功耗 Pd 238W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Nexperia N 沟道 MOSFET 采用先进的 TrenchMOS 超级结技术。该产品专为高性能功率开关应用而设计，并通过了认证。它专为高性能应用而设计，包括同步整流、直流-直流转换器、服务器电源、无刷直流电机控制和电池保护。它可在各种电源管理任务中提供高效率和可靠的性能。
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