Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 200 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚, PSMN1R9-40YSBX, PSM系列
- RS 库存编号:
- 219-499
- 制造商零件编号:
- PSMN1R9-40YSBX
- 制造商:
- Nexperia
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¥13,741.50
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 1500 + | RMB9.161 | RMB13,741.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 219-499
- 制造商零件编号:
- PSMN1R9-40YSBX
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 200A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | LFPAK | |
| 系列 | PSM | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 10 V | |
| 最大功耗 Pd | 194W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 56nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 200A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 LFPAK | ||
系列 PSM | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 10 V | ||
最大功耗 Pd 194W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 56nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Nexperia N 沟道 MOSFET 采用先进的 TrenchMOS 超级结技术。它经过优化，可将电磁兼容性能提高达 6 dB。它专为高性能功率开关应用而设计。主要应用包括自动化、机器人、直流-直流转换器、无刷直流电机控制、电池隔离、工业负载开关、电子保险丝和浪涌管理。
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