Nexperia N沟道增强型MOS管, Vds=100V, 80A, LFPAK, 贴片安装, 5引脚
- RS 库存编号:
- 219-505
- 制造商零件编号:
- PSMN9R8-100YSFX
- 制造商:
- Nexperia
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 1500 + | RMB8.93 | RMB13,395.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 219-505
- 制造商零件编号:
- PSMN9R8-100YSFX
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 80A | |
| 最大漏源电压 | 100V | |
| 封装类型 | LFPAK | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 80A | ||
最大漏源电压 100V | ||
封装类型 LFPAK | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 5 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Nexperia N 沟道 MOSFET 的合格温度为 175°C。它是工业和消费应用的理想选择。它适用于交流-直流和直流-直流转换器中的同步整流、48V 直流-直流系统中的初级侧开关、直流无刷电机控制、USB-PD 和移动快速充电适配器，以及反激式和谐振拓扑结构。
强大的雪崩能量等级
雪崩等级和 100% 测试
无有害物质，符合 RoHS 标准
雪崩等级和 100% 测试
无有害物质，符合 RoHS 标准