onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 129 A, PIM29, 29引脚, NXH008T120M3F2PTHG, NXH系列
- RS 库存编号:
- 220-552
- 制造商零件编号:
- NXH008T120M3F2PTHG
- 制造商:
- onsemi
小计（1 包，共 1 件）*
¥1,198.45
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包装 | 每包 |
|---|---|
| 1 + | RMB1,198.45 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 220-552
- 制造商零件编号:
- NXH008T120M3F2PTHG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 129A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 包装类型 | PIM29 | |
| 系列 | NXH | |
| 引脚数目 | 29 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 11.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 4.8V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 454nC | |
| 最大功耗 Pd | 371W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 22 V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 42.5 mm | |
| 长度 | 56.7mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 129A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
包装类型 PIM29 | ||
系列 NXH | ||
引脚数目 29 | ||
最大漏源电阻 Rd 11.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 4.8V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 454nC | ||
最大功耗 Pd 371W | ||
最大栅源电压 Vgs 22 V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 42.5 mm | ||
长度 56.7mm | ||
汽车标准 否 | ||
安森美半导体 MOSFET 是一种电源模块，采用 F2 封装，包含一个 8 m 欧姆 / 1200 V SiC MOSFET TNPC 和一个带 HPS DBC 的热敏电阻。
无卤素
符合 RoHS 标准