onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 46 A, HPSOF-8L, 表面安装, 8引脚, NTBL系列
- RS 库存编号:
- 220-562P
- 制造商零件编号:
- NTBL060N065SC1
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 99 | RMB51.26 |
| 100 - 499 | RMB47.30 |
| 500 - 999 | RMB43.88 |
| 1000 + | RMB43.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 220-562P
- 制造商零件编号:
- NTBL060N065SC1
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 46A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | HPSOF-8L | |
| 系列 | NTBL | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 60mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 22.6 V | |
| 正向电压 Vf | 4.3V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 74nC | |
| 最大功耗 Pd | 170W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 长度 | 9.9mm | |
| 宽度 | 10.38 mm | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 46A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 HPSOF-8L | ||
系列 NTBL | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 60mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 22.6 V | ||
正向电压 Vf 4.3V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 74nC | ||
最大功耗 Pd 170W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 2.3mm | ||
长度 9.9mm | ||
宽度 10.38 mm | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
安森美半导体碳化硅（SiC）MOSFET 采用全新技术，与硅相比开关性能更优越，可靠性更高。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。因此,系统优势包括最高效率、更快的操作频率、更高的功率密度、更低的 EMI 和更小的系统尺寸。
低电容高速开关
符合 RoHS 标准