onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=1200 V, Id=151 A, 4针, TO-247-4L, NTH系列
- RS 库存编号:
- 220-567P
- 制造商零件编号:
- NTH4L013N120M3S
- 制造商:
- onsemi
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- RS 库存编号:
- 220-567P
- 制造商零件编号:
- NTH4L013N120M3S
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 151A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 包装类型 | TO-247-4L | |
| 系列 | NTH | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 13mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 22V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 254nC | |
| 正向电压 Vf | 4.7V | |
| 最大功耗 Pd | 682W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 16.2mm | |
| 标准/认证 | Halide Free and RoHS with Exemption 7a | |
| 高度 | 5mm | |
| 宽度 | 15.6mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 151A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
包装类型 TO-247-4L | ||
系列 NTH | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 13mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 22V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 254nC | ||
正向电压 Vf 4.7V | ||
最大功耗 Pd 682W | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 16.2mm | ||
标准/认证 Halide Free and RoHS with Exemption 7a | ||
高度 5mm | ||
宽度 15.6mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
安森美半导体 MOSFET 专为快速开关应用而优化。平面技术可在负栅极电压驱动下可靠运行，并可关闭栅极上的尖峰。此系列在使用 18V 门驱动器驱动时具有最佳性能,但也可与 15V 门驱动器一起工作。
无卤化物
符合 RoHS 标准