onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 253 A, DFNW-5, 表面安装, 5引脚, NVMFWS1D5N08XT1G, NVMFWS系列
- RS 库存编号:
- 220-570
- 制造商零件编号:
- NVMFWS1D5N08XT1G
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RMB29.295 | RMB58.59 |
| 20 - 198 | RMB26.405 | RMB52.81 |
| 200 - 998 | RMB24.325 | RMB48.65 |
| 1000 - 1998 | RMB22.565 | RMB45.13 |
| 2000 + | RMB18.33 | RMB36.66 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 220-570
- 制造商零件编号:
- NVMFWS1D5N08XT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 253A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | DFNW-5 | |
| 系列 | NVMFWS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.43mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 194W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 18nC | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 5mm | |
| 宽度 | 6 mm | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 | |
| 汽车标准 | AEC-Q | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 253A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 DFNW-5 | ||
系列 NVMFWS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.43mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 194W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 18nC | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 5mm | ||
宽度 6 mm | ||
标准/认证 AEC-Q101 | ||
汽车标准 AEC-Q | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
安森美半导体 MOSFET 采用 5x6mm 扁平引线封装，专为紧凑型高效设计而设计，具有高热效应性能。提供可湿性侧翼选件，用于增强光学检测。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，具有 PPAP 能力，适用于汽车应用。
无卤素
符合 RoHS 标准