onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=80V, 201 A, SO-8FL, 贴片安装, 8引脚, NVMFWS系列
- RS 库存编号:
- 220-571P
- 制造商零件编号:
- NVMFWS1D9N08XT1G
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 198 | RMB22.985 |
| 200 - 998 | RMB21.145 |
| 1000 - 1998 | RMB19.655 |
| 2000 + | RMB19.255 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 220-571P
- 制造商零件编号:
- NVMFWS1D9N08XT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 201 A | |
| 最大漏源电压 | 80V | |
| 封装类型 | SO-8FL | |
| 系列 | NVMFWS | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 201 A | ||
最大漏源电压 80V | ||
封装类型 SO-8FL | ||
系列 NVMFWS | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
安森美半导体 MOSFET 具有低 QRR。该设备无铅、无卤素/无溴化阻燃剂。
低 RDS(on)，将传导损耗降至最低
符合 RoHS 标准
符合 RoHS 标准