onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=201 A, 8针, SO-8FL, NVMFWS系列
- RS 库存编号:
- 220-571P
- 制造商零件编号:
- NVMFWS1D9N08XT1G
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 198 | RMB24.895 |
| 200 - 998 | RMB22.905 |
| 1000 - 1998 | RMB21.29 |
| 2000 + | RMB20.86 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 220-571P
- 制造商零件编号:
- NVMFWS1D9N08XT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 201A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | NVMFWS | |
| 包装类型 | SO-8FL | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 164W | |
| 正向电压 Vf | 820mV | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 5.9mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 标准/认证 | AEC and PPAP Capable | |
| 长度 | 4.9mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 201A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 NVMFWS | ||
包装类型 SO-8FL | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 164W | ||
正向电压 Vf 820mV | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 5.9mm | ||
高度 1mm | ||
标准/认证 AEC and PPAP Capable | ||
长度 4.9mm | ||
汽车标准 AEC-Q | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
安森美半导体 MOSFET 具有低 QRR。该设备无铅、无卤素/无溴化阻燃剂。
低 RDS(on)，将传导损耗降至最低
符合 RoHS 标准