onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=121 A, 5针, DFNW-5, NVMFWS系列

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包装方式：
RS 库存编号:
220-573
制造商零件编号:
NVMFWS2D3N04XMT1G
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

121A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

NVMFWS

包装类型

DFNW-5

安装类型

表面

引脚数目

5

最大漏源电阻 Rd

2.35mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

22.2nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

63W

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

820mV

最高工作温度

175°C

宽度

6mm

长度

5mm

标准/认证

AECQ101 Qualified and PPAP Capable

汽车标准

AEC-Q

COO (Country of Origin):
MY
安森美半导体 MOSFET 具有低电容，可将驱动器损耗降至最低。该设备无铅、无卤素/无溴化阻燃剂。

低 RDS(on)，将传导损耗降至最低

符合 RoHS 标准

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