onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 121 A, DFNW-5, 表面安装, 5引脚, NVMFWS2D3N04XMT1G, NVMFWS系列
- RS 库存编号:
- 220-573
- 制造商零件编号:
- NVMFWS2D3N04XMT1G
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | RMB8.509 | RMB85.09 |
| 100 - 240 | RMB8.077 | RMB80.77 |
| 250 - 490 | RMB7.496 | RMB74.96 |
| 500 - 990 | RMB7.346 | RMB73.46 |
| 1000 + | RMB7.198 | RMB71.98 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 220-573
- 制造商零件编号:
- NVMFWS2D3N04XMT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 121A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | NVMFWS | |
| 包装类型 | DFNW-5 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.35mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 0.82V | |
| 最大功耗 Pd | 63W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 22.2nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 5mm | |
| 标准/认证 | AECQ101 Qualified and PPAP Capable | |
| 宽度 | 6 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 121A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 NVMFWS | ||
包装类型 DFNW-5 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.35mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 0.82V | ||
最大功耗 Pd 63W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 22.2nC | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 5mm | ||
标准/认证 AECQ101 Qualified and PPAP Capable | ||
宽度 6 mm | ||
汽车标准 AEC-Q | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
安森美半导体 MOSFET 具有低电容，可将驱动器损耗降至最低。该设备无铅、无卤素/无溴化阻燃剂。
低 RDS(on)，将传导损耗降至最低
符合 RoHS 标准