onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 149 A, PIM34, 34引脚, NXH系列

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包装方式:
RS 库存编号:
220-577P
制造商零件编号:
NXH007F120M3F2PTHG
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

149A

最大漏源电压 Vd

1200V

系列

NXH

包装类型

PIM34

引脚数目

34

最大漏源电阻 Rd

10mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

6V

最大功耗 Pd

34.2W

最大栅源电压 Vgs

22 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

407nC

最低工作温度

-40°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

安森美半导体 MOSFET 是一种电源模块,采用 F2 封装,包含 7 m 欧姆 / 1200 V SiC MOSFET 半桥和带 HPS DBC 的热敏电阻。

无卤素

符合 RoHS 标准