onsemi P型沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=164 A, 8针, SO-8FL, NTMFS系列
- RS 库存编号:
- 220-586P
- 制造商零件编号:
- NTMFS005P03P8ZT1G
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 95 | RMB14.728 |
| 100 - 495 | RMB13.618 |
| 500 - 995 | RMB12.548 |
| 1000 + | RMB12.058 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 220-586P
- 制造商零件编号:
- NTMFS005P03P8ZT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 164A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | NTMFS | |
| 包装类型 | SO-8FL | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.7mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25V | |
| 最大功耗 Pd | 104W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 183nC | |
| 正向电压 Vf | -1.3V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 164A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 NTMFS | ||
包装类型 SO-8FL | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.7mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 25V | ||
最大功耗 Pd 104W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 183nC | ||
正向电压 Vf -1.3V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
采用先进封装技术的安森美半导体 MOSFET 采用 5x6mm 封装，节省空间，热传导性能卓越。
符合 RoHS 标准
无铅、无卤素/无溴化阻燃剂