onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 201 A, SO-8FL, 表面安装, 8引脚, NTMFS2D1N08XT1G, NTMFS系列
- RS 库存编号:
- 220-600
- 制造商零件编号:
- NTMFS2D1N08XT1G
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB21.562 | RMB107.81 |
| 50 - 95 | RMB20.50 | RMB102.50 |
| 100 - 495 | RMB18.984 | RMB94.92 |
| 500 - 995 | RMB17.462 | RMB87.31 |
| 1000 + | RMB17.114 | RMB85.57 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 220-600
- 制造商零件编号:
- NTMFS2D1N08XT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 201A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | NTMFS | |
| 包装类型 | SO-8FL | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 63nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 164W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 6.15mm | |
| 宽度 | 5.15 mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 201A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 NTMFS | ||
包装类型 SO-8FL | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 63nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 164W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 6.15mm | ||
宽度 5.15 mm | ||
高度 1mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
安森美半导体 MOSFET 是 80V 市场同类最佳产品。该产品将成为云电源、5G 电信、其他 PSU 应用、DC/DC 和工业应用的最佳解决方案。这样就能提供更好的性能，提高系统效率和高功率密度，并具有以下性能特点。
无卤素
符合 RoHS 标准