onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=111 A, 5针, DFN-5, NTMFS系列

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包装方式：
RS 库存编号:
220-602
制造商零件编号:
NTMFS2D3N04XMT1G
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

111A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

DFN-5

系列

NTMFS

安装类型

表面

引脚数目

5

最大漏源电阻 Rd

2.35mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

22.1nC

最大功耗 Pd

53W

正向电压 Vf

0.82V

最高工作温度

175°C

宽度

6mm

标准/认证

RoHS

长度

5mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
MY
安森美半导体功率 MOSFET 技术具有同类最佳导通电阻，适用于电机驱动器应用。更低的导通电阻和更少的栅极电荷可降低传导损耗和驱动损耗。良好的体二极管反向恢复软度控制可减少电压尖峰应力，而无需额外的缓冲电路。

无卤素

符合 RoHS 标准

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