onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 181 A, DFN-5, 表面安装, 5引脚, NTMFS2D5N08XT1G, NTMFS系列
- RS 库存编号:
- 220-603
- 制造商零件编号:
- NTMFS2D5N08XT1G
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 卷，共 5 件）*
¥82.67
(不含税)
¥93.415
(含税)
库存信息目前无法查询
单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB16.534 | RMB82.67 |
| 50 - 95 | RMB15.726 | RMB78.63 |
| 100 - 495 | RMB14.552 | RMB72.76 |
| 500 - 995 | RMB14.26 | RMB71.30 |
| 1000 + | RMB13.976 | RMB69.88 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 220-603
- 制造商零件编号:
- NTMFS2D5N08XT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 181A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | DFN-5 | |
| 系列 | NTMFS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.1mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 33nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 148W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 1mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 5.15 mm | |
| 长度 | 6.15mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 181A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 DFN-5 | ||
系列 NTMFS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.1mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 33nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 148W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 1mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 5.15 mm | ||
长度 6.15mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
安森美半导体功率 MOSFET 技术具有同类最佳导通电阻，适用于电机驱动器应用。更低的导通电阻和更少的栅极电荷可降低传导损耗和驱动损耗。良好的体二极管反向恢复软度控制可减少电压尖峰应力，而无需额外的缓冲电路。
无卤素
符合 RoHS 标准