ROHM P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 5 A, TSMT-8, 表面安装, 8引脚, RQ1E050RPHZGTR, RQ1系列
- RS 库存编号:
- 264-430
- 制造商零件编号:
- RQ1E050RPHZGTR
- 制造商:
- ROHM
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | RMB3.02 | RMB75.50 |
| 100 - 225 | RMB2.868 | RMB71.70 |
| 250 - 475 | RMB2.658 | RMB66.45 |
| 500 - 975 | RMB2.448 | RMB61.20 |
| 1000 + | RMB2.354 | RMB58.85 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 264-430
- 制造商零件编号:
- RQ1E050RPHZGTR
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | TSMT-8 | |
| 系列 | RQ1 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 31mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 13nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 1.5W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 5A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 TSMT-8 | ||
系列 RQ1 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 31mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 13nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 1.5W | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
ROHM 小信号 MOSFET 用于开关应用，是符合 AEC-Q101 标准的汽车级高可靠性产品。
低导通电阻
内置 G-S 保护二极管
小型表面贴装封装 TSMT8
无铅电镀，符合 RoHS 规范