ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=800 V, 19 A, TO-220FM, 通孔安装, 3引脚, R8019KNXC7G, R80系列

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264-561
制造商零件编号:
R8019KNXC7G
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

19A

最大漏源电压 Vd

800V

包装类型

TO-220FM

系列

R80

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.265Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

±20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

65nC

最大功耗 Pd

83W

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

汽车标准

ROHM 800V 19A 功率 MOSFET 采用 TO-220FM 封装,是一款专为实现高效率而设计的高速开关超级结 MOSFET。它通过高速开关实现更高的效率,从而提高 PFC 和 LLC 电路的性能。

低导通电阻

快速切换

易于并行使用

无铅电镀,符合 RoHS 规范