ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, SST-3, 表面安装, 3引脚, BSS670AHZGT116, BSS系列
- RS 库存编号:
- 264-577P
- 制造商零件编号:
- BSS670AHZGT116
- 制造商:
- ROHM
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- RS 库存编号:
- 264-577P
- 制造商零件编号:
- BSS670AHZGT116
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | BSS | |
| 包装类型 | SST-3 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.68Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最大功耗 Pd | 350mW | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 BSS | ||
包装类型 SST-3 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.68Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最大功耗 Pd 350mW | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
ROHM 用于汽车的 N 沟道小信号 MOSFET 采用 SST3 封装，内含 60V 650mA MOSFET 和 ESD 保护二极管。该产品是开关电路、低压侧负载开关和继电器驱动器应用的理想之选。这是符合 AEC-Q101 标准的汽车级高可靠性产品。
切换速度极快
超低电压驱动 2.5V 驱动器
ESD 保护高达 2kV HBM
无铅电镀，符合 RoHS 规范
无卤素
AEC-Q101 认证