ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, HSMT-8, 表面安装, 8引脚, RQ3L060BGTB1, RQ3系列
- RS 库存编号:
- 264-578
- 制造商零件编号:
- RQ3L060BGTB1
- 制造商:
- ROHM
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 264-578
- 制造商零件编号:
- RQ3L060BGTB1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | RQ3 | |
| 包装类型 | HSMT-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 38mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 5.5nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 14W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 RQ3 | ||
包装类型 HSMT-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 38mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 5.5nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 14W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
采用 HSMT8 封装的 ROHM N 沟道 60V 15.5A 功率 MOSFET 具有低导通电阻和大功率设计，非常适合开关、电机驱动以及直流或直流转换器应用。
低导通电阻
大功率小型模具封装 HSMT8
无铅电镀，符合 RoHS 规范
无卤素
100% Rg 和 UIS 测试