ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 210 A, HSOP-8, 表面安装, 8引脚, RS6G120BHTB1, RS6系列
- RS 库存编号:
- 264-580
- 制造商零件编号:
- RS6G120BHTB1
- 制造商:
- ROHM
可享批量折扣
小计（1 卷，共 5 件）*
¥63.82
(不含税)
¥72.115
(含税)
有库存
- 另外 100 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB12.764 | RMB63.82 |
| 50 - 95 | RMB12.122 | RMB60.61 |
| 100 - 495 | RMB11.226 | RMB56.13 |
| 500 - 995 | RMB10.332 | RMB51.66 |
| 1000 + | RMB9.962 | RMB49.81 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 264-580
- 制造商零件编号:
- RS6G120BHTB1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 210A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | RS6 | |
| 包装类型 | HSOP-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.38mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 104W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 67.0nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 210A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 RS6 | ||
包装类型 HSOP-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.38mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 104W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 67.0nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
采用 HSMT8 封装的 ROHM N 沟道 40V 210A 功率 MOSFET 具有低导通电阻和大功率设计，非常适合开关、电机驱动以及直流或直流转换器应用。
低导通电阻
大功率小型模具封装 HSMT8
无铅电镀，符合 RoHS 规范
无卤素
100% Rg 和 UIS 测试