ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 210 A, HSOP-8, 表面安装, 8引脚, RS6系列

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包装方式:
RS 库存编号:
264-580P
制造商零件编号:
RS6G120BHTB1
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

210A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

HSOP-8

系列

RS6

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

1.38mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

67.0nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

104W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

汽车标准

采用 HSMT8 封装的 ROHM N 沟道 40V 210A 功率 MOSFET 具有低导通电阻和大功率设计,非常适合开关、电机驱动以及直流或直流转换器应用。

低导通电阻

大功率小型模具封装 HSMT8

无铅电镀,符合 RoHS 规范

无卤素

100% Rg 和 UIS 测试