制造商编号

ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=27 A, 3针, JEDEC TO-220AB, R60系列

RS 库存编号:: 264-635
制造商零件编号:: R6027YNX3C16
制造商:: ROHM

ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=27 A, 3针, JEDEC TO-220AB, R60系列

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RS 库存编号:: 264-635
制造商零件编号:: R6027YNX3C16
制造商:: ROHM

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	ROHM
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	27A
	最大漏源电压 Vd	600V
	包装类型	JEDEC TO-220AB
	系列	R60
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	135mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	245W
	最大栅源电压 Vgs	30V
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	40nC
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 ROHM
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 27A
	最大漏源电压 Vd 600V
	包装类型 JEDEC TO-220AB
	系列 R60
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 135mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 245W
	最大栅源电压 Vgs 30V
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 40nC
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - R6027YNX3C16

ROHM N 沟道 600V 27A 功率 MOSFET 采用 TO-220AB 封装，导通电阻低，非常适合开关应用。

低导通电阻

快速切换

驱动电路可以很简单

无铅电镀，符合 RoHS 规范

无卤素模具化合物

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