ROHM , 2 P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 12.5 A, HSOP-8, 表面安装, 8引脚, HP8J系列, HP8JE5TB1
- RS 库存编号:
- 264-654
- 制造商零件编号:
- HP8JE5TB1
- 制造商:
- ROHM
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB9.378 | RMB46.89 |
| 50 - 95 | RMB8.912 | RMB44.56 |
| 100 - 495 | RMB8.25 | RMB41.25 |
| 500 - 995 | RMB7.588 | RMB37.94 |
| 1000 + | RMB7.316 | RMB36.58 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 264-654
- 制造商零件编号:
- HP8JE5TB1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 12.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | HSOP-8 | |
| 系列 | HP8J | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 127mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 38.0nC | |
| 最大功耗 Pd | 21W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 12.5A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 HSOP-8 | ||
系列 HP8J | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 127mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 38.0nC | ||
最大功耗 Pd 21W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
ROHM Semiconductor 是一款双 P 沟道 MOSFET，专为高效开关和电机驱动应用而设计。它具有低导通电阻和高功率耗散的特点，是高性能电路的理想之选。该器件采用 8-HSOP 封装，可确保紧凑可靠的表面贴装。
符合 RoHS 标准
大功率软件包
无铅电镀
无卤素
测试了 Rg 和 UIS