ROHM , 2 N型沟道 Nch+Nch 增强型 MOSFET, Vds=100 V, HSOP-8, 表面安装, 8引脚, HP8K系列, HP8KE7TB1
- RS 库存编号:
- 264-873
- 制造商零件编号:
- HP8KE7TB1
- 制造商:
- ROHM
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB12.648 | RMB63.24 |
| 50 - 95 | RMB12.024 | RMB60.12 |
| 100 - 495 | RMB11.13 | RMB55.65 |
| 500 - 995 | RMB10.254 | RMB51.27 |
| 1000 + | RMB9.864 | RMB49.32 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 264-873
- 制造商零件编号:
- HP8KE7TB1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | HP8K | |
| 包装类型 | HSOP-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 19.6mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 19.8nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 26W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 晶体管配置 | Nch+Nch | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 HP8K | ||
包装类型 HSOP-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 19.6mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 19.8nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 26W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
晶体管配置 Nch+Nch | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
ROHM 功率 MOSFET 采用双 N 沟道配置，额定电压为 100V，电流容量为 24A。采用 HSOP8 封装，导通电阻低。
低导通电阻
小型表面贴装封装 (HSOP8)
无铅电镀，符合 RoHS 规范
无卤素