ROHM , 2 N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 13 A, HSMT-8, 表面安装, 8引脚, HT8K系列
- RS 库存编号:
- 264-876P
- 制造商零件编号:
- HT8KE6TB1
- 制造商:
- ROHM
可享批量折扣
小计 100 件 (按连续条带形式提供)*
¥610.00
(不含税)
¥689.00
(含税)
有库存
- 100 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 100 - 240 | RMB6.10 |
| 250 - 490 | RMB5.652 |
| 500 - 990 | RMB5.205 |
| 1000 + | RMB5.01 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 264-876P
- 制造商零件编号:
- HT8KE6TB1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 13A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | HSMT-8 | |
| 系列 | HT8K | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 57mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最大功耗 Pd | 14W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 13A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 HSMT-8 | ||
系列 HT8K | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 57mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最大功耗 Pd 14W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6.7nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
ROHM 功率 MOSFET 采用双 N 沟道配置，额定电压为 100V，电流容量为 13A。采用 HSOP8 封装，导通电阻低。
低导通电阻
小型表面贴装封装 (HSOP8)
无铅电镀，符合 RoHS 规范
无卤素