ROHM , 1 N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 120 A, TO-263AB, 3引脚, RJ1系列, RJ1P07CBHTL1
- RS 库存编号:
- 264-884
- 制造商零件编号:
- RJ1P07CBHTL1
- 制造商:
- ROHM
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RMB22.765 | RMB45.53 |
| 20 - 198 | RMB20.48 | RMB40.96 |
| 200 - 998 | RMB18.92 | RMB37.84 |
| 1000 - 1998 | RMB17.56 | RMB35.12 |
| 2000 + | RMB14.25 | RMB28.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 264-884
- 制造商零件编号:
- RJ1P07CBHTL1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 120A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TO-263AB | |
| 系列 | RJ1 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5.1mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 73.0nC | |
| 最大功耗 Pd | 135W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 120A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TO-263AB | ||
系列 RJ1 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 5.1mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 73.0nC | ||
最大功耗 Pd 135W | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
ROHM Nch 100V 120A TO-263AB 功率 MOSFET 采用低导通电阻和大功率小型模具封装，适用于开关。
低导通电阻
大功率小型模具封装（TO263AB）
无铅电镀，符合 RoHS 规范
100% 通过 UIS 测试