ROHM , 1 N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 65 A, HSMT-8, 8引脚, RH6系列, RH6L040BGTB1
- RS 库存编号:
- 264-934
- 制造商零件编号:
- RH6L040BGTB1
- 制造商:
- ROHM
可享批量折扣
小计（1 卷，共 10 件）*
¥67.54
(不含税)
¥76.32
(含税)
有库存
- 3,020 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | RMB6.754 | RMB67.54 |
| 100 - 240 | RMB6.413 | RMB64.13 |
| 250 - 490 | RMB5.942 | RMB59.42 |
| 500 - 990 | RMB5.471 | RMB54.71 |
| 1000 + | RMB5.271 | RMB52.71 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 264-934
- 制造商零件编号:
- RH6L040BGTB1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 65A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | RH6 | |
| 包装类型 | HSMT-8 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 7.1mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 18.8nC | |
| 最大功耗 Pd | 59W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 65A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 RH6 | ||
包装类型 HSMT-8 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 7.1mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 18.8nC | ||
最大功耗 Pd 59W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
ROHM Nch 60V 65A HSMT8 是一款低导通电阻的功率 MOSFET，适用于开关、电机驱动、直流或直流转换器。
小型表面贴装封装
无铅电镀
符合 RoHS 标准