ROHM N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=40 V, 80 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, RD3G08CBLHRBTL, RD3G08CBLHRB系列

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264-956
制造商零件编号:
RD3G08CBLHRBTL
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

80A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

RD3G08CBLHRB

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3.2mΩ

通道模式

消耗

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

96W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

42nC

正向电压 Vf

1.5V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS, AEC-Q101

长度

10mm

汽车标准

AEC-Q101

ROHM MOSFET 因其在各种应用中的出色性能而脱颖而出。该元件专为实现高效率而设计,能以最低的发热量处理高功率,因此非常适合要求苛刻的汽车和工业环境。其紧凑型 DPAK 封装可确保轻松集成到空间有限的布局中,而符合 RoHS 规范的无铅结构则保证了其符合现代环保标准。

符合 RoHS 标准,确保环境安全

DPAK 封装结构紧凑,有利于设计节省空间

经过严格测试,确保可靠性