ROHM , 1 P型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=40 V, 15 A, HSMT-8, 表面安装, 8引脚, HT8KB6系列, HT8KB6TB1
- RS 库存编号:
- 265-123
- 制造商零件编号:
- HT8KB6TB1
- 制造商:
- ROHM
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | RMB5.545 | RMB55.45 |
| 100 - 240 | RMB5.273 | RMB52.73 |
| 250 - 490 | RMB4.884 | RMB48.84 |
| 500 - 990 | RMB4.495 | RMB44.95 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 265-123
- 制造商零件编号:
- HT8KB6TB1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 15A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | HSMT-8 | |
| 系列 | HT8KB6 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 17.2mΩ | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 最大功耗 Pd | 14W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 15A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 HSMT-8 | ||
系列 HT8KB6 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 17.2mΩ | ||
通道模式 消耗 | ||
最大功耗 Pd 14W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 10.6nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
ROHM MOSFET 专为要求卓越效率和可靠性的苛刻应用而设计。该产品设计坚固，导通电阻低，功率容量大，是电机驱动和其他电源管理需求的理想选择。该产品以其紧凑的 HSMT8 封装而脱颖而出，可确保轻松集成到各种电子系统中。
无卤素设计符合全球环保标准
保证 100% Rg 和 UIS 测试，提高可靠性
宽泛的工作结温范围可实现多种应用
高脉冲漏极电流能力可满足苛刻的运行要求