ROHM P型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=80 V, 65 A, HSMT-8, 表面安装, 8引脚, RH6N040BHTB1, RH系列
- RS 库存编号:
- 265-155
- 制造商零件编号:
- RH6N040BHTB1
- 制造商:
- ROHM
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|---|---|---|
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| 100 - 495 | RMB6.032 | RMB30.16 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 265-155
- 制造商零件编号:
- RH6N040BHTB1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 65A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | HSMT-8 | |
| 系列 | RH | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 8.3mΩ | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 23nC | |
| 最大功耗 Pd | 59W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 65A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 HSMT-8 | ||
系列 RH | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 8.3mΩ | ||
通道模式 消耗 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 23nC | ||
最大功耗 Pd 59W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
ROHM MOSFET 是一种尖端半导体，旨在为各种应用提供卓越的性能和可靠性。该元件采用大功率小型模具封装，在不影响功能的前提下优化了空间。它具有较低的导通电阻，可确保高效的电源管理，是电机驱动器和 DC/DC 转换器的理想之选。
功率容量大，可满足苛刻的应用要求
经测试，栅极电荷特性稳健，可提高开关性能
是各种应用（包括电机驱动）的理想之选
全面的最大额定值让人对运行极限充满信心