ROHM P型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=-20 V, 4 A, DFN1212-3, 表面安装, 4引脚, RV7C040BC系列

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包装方式:
RS 库存编号:
265-205P
制造商零件编号:
RV7C040BCTCR1
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

4A

最大漏源电压 Vd

-20V

包装类型

DFN1212-3

系列

RV7C040BC

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

63mΩ

通道模式

消耗

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

-1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

6.5nC

最大功耗 Pd

1.1W

最大栅源电压 Vgs

8 V

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

ROHM MOSFET 专为在紧凑型应用中提供卓越性能而设计。其独特的无引线封装可实现出色的热传导,非常适合需要有效散热的应用场合。该产品的漏源电压为-20V,导通电阻低,可确保高效的电源管理。

支持较宽的工作温度范围,可在各种环境中保持可靠性

出色的雪崩能量额定值确保了在瞬态条件下的稳健性

尺寸小巧,便于集成到微型电路中