ROHM P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 12 A, HSMT-8, 表面安装, 8引脚, RQ3G120BJFRATCB, RQ3系列

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RS 库存编号:
265-249P
制造商零件编号:
RQ3G120BJFRATCB
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

12A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

HSMT-8

系列

RQ3

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

48mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

40W

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

15.5nC

最高工作温度

150°C

标准/认证

AEC-Q101

汽车标准

AEC-Q101

ROHM 汽车级 MOSFET 是高级驾驶员辅助系统、信息娱乐系统、照明和车身应用的理想解决方案。其坚固的结构可确保在苛刻的汽车环境中可靠运行。通过独创的端子和电镀处理,实现了高安装可靠性。

符合 RoHS 标准

AEC Q101 合格

小型高功率封装减少了安装面积