ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, TO-252, 表面安装, 3引脚, R6502END3TL1, R65系列
- RS 库存编号:
- 265-280
- 制造商零件编号:
- R6502END3TL1
- 制造商:
- ROHM
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | RMB4.514 | RMB45.14 |
| 100 - 240 | RMB4.29 | RMB42.90 |
| 250 - 490 | RMB3.969 | RMB39.69 |
| 500 - 990 | RMB3.658 | RMB36.58 |
| 1000 + | RMB3.522 | RMB35.22 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 265-280
- 制造商零件编号:
- R6502END3TL1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | R65 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.0Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 26W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 6.5nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 R65 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.0Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 26W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6.5nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
ROHM MOSFET 是一种低噪声、超级结 MOSFET，强调易用性。该系列产品性能优越，适用于对噪音敏感的应用，以降低噪音，如音频和照明设备。
无铅电镀
符合 RoHS 标准
快速切换
驱动电路可以很简单
易于并行使用
低导通电阻