ROHM , 1 N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 125 A, HSMT-8, 8引脚, R65系列, RH6E040BGTB1
- RS 库存编号:
- 265-310P
- 制造商零件编号:
- RH6E040BGTB1
- 制造商:
- ROHM
可享批量折扣
小计 100 件 (按连续条带形式提供)*
¥639.20
(不含税)
¥722.30
(含税)
有库存
- 另外 100 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 100 - 240 | RMB6.392 |
| 250 - 490 | RMB5.925 |
| 500 - 990 | RMB5.458 |
| 1000 + | RMB5.253 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 265-310P
- 制造商零件编号:
- RH6E040BGTB1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 125A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | R65 | |
| 包装类型 | HSMT-8 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 78W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 30.0nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 125A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 R65 | ||
包装类型 HSMT-8 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 78W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 30.0nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
ROHM 功率 MOSFET 的导通电阻低，采用紧凑型高功率小型模具封装。它非常适合各种应用，包括开关、电机驱动和 DC/DC 转换器，可在空间有限的环境中提供高效性能。
无铅电镀
符合 RoHS 标准
高功率小型模具封装
低导通电阻
100% Rg 和 UIS 测试