ROHM P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 43 A, HSOP-8, 表面安装, 8引脚, RS1N110ATTB1, RS1系列
- RS Stock No.:
- 265-472
- Mfr. Part No.:
- RS1N110ATTB1
- Brand:
- ROHM
Bulk discount available
Subtotal (1 tape of 10 units)*
¥102.93
(exc. VAT)
¥116.31
(inc. VAT)
有库存
- 110 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
Units | Per unit | Per Tape* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | RMB10.293 | RMB102.93 |
| 100 - 240 | RMB9.777 | RMB97.77 |
| 250 + | RMB9.057 | RMB90.57 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 265-472
- Mfr. Part No.:
- RS1N110ATTB1
- Brand:
- ROHM
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 43A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | HSOP-8 | |
| 系列 | RS1 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 21.0mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 135nC | |
| 最大功耗 Pd | 40W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 43A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 HSOP-8 | ||
系列 RS1 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 21.0mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 135nC | ||
最大功耗 Pd 40W | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
ROHM 功率 MOSFET 导通电阻低,采用大功率小型模具封装设计,非常适合开关应用和电机驱动。其体积小巧,可在优化电子设计空间的同时实现高效性能。
符合 RoHS 标准
低导通电阻
无铅电镀
无卤素
100% Rg 和 UIS 测试
