ROHM P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 43 A, HSOP-8, 表面安装, 8引脚, RS1N110ATTB1, RS1系列

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RS 库存编号:
265-472
制造商零件编号:
RS1N110ATTB1
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

43A

最大漏源电压 Vd

80V

系列

RS1

包装类型

HSOP-8

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

21.0mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

±20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

135nC

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

40W

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

汽车标准

ROHM 功率 MOSFET 导通电阻低,采用大功率小型模具封装设计,非常适合开关应用和电机驱动。其体积小巧,可在优化电子设计空间的同时实现高效性能。

符合 RoHS 标准

低导通电阻

无铅电镀

无卤素

100% Rg 和 UIS 测试