onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 70 A, TO-263, 表面安装, 7引脚, NTBG023N065M3S, NTB系列
- RS 库存编号:
- 277-040
- 制造商零件编号:
- NTBG023N065M3S
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB67.32 |
| 10 - 99 | RMB60.61 |
| 100 - 499 | RMB55.84 |
| 500 - 999 | RMB51.85 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 277-040
- 制造商零件编号:
- NTBG023N065M3S
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 70A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | NTB | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 23mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 69nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 22 V | |
| 最大功耗 Pd | 263W | |
| 正向电压 Vf | 6V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 9.2mm | |
| 高度 | 15.4mm | |
| 标准/认证 | RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI (on Second Level Interconnection) | |
| 宽度 | 9.9 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 70A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 NTB | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 23mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 69nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 22 V | ||
最大功耗 Pd 263W | ||
正向电压 Vf 6V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 9.2mm | ||
高度 15.4mm | ||
标准/认证 RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI (on Second Level Interconnection) | ||
宽度 9.9 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
安森美半导体 SiC MOSFET 专为快速开关应用而优化。平面技术可在负栅极电压驱动下可靠运行，并可关闭栅极上的尖峰。使用 18V 栅极驱动时性能最佳，但使用 15V 栅极驱动时效果也很好。
超低栅极电荷
高速开关，低电容
100%的雪崩测试
设备不含卤化物，符合 RoHS 标准