onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=750 V, 140 A, TO-247-4L, 通孔安装, 7引脚, NTH系列
- RS 库存编号:
- 277-041P
- 制造商零件编号:
- NTH4L018N075SC1
- 制造商:
- onsemi
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|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 277-041P
- 制造商零件编号:
- NTH4L018N075SC1
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 140A | |
| 最大漏源电压 Vd | 750V | |
| 包装类型 | TO-247-4L | |
| 系列 | NTH | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 13.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 500W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 262nC | |
| 正向电压 Vf | 4.5V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 22 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 140A | ||
最大漏源电压 Vd 750V | ||
包装类型 TO-247-4L | ||
系列 NTH | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 13.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 500W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 262nC | ||
正向电压 Vf 4.5V | ||
最大栅源电压 Vgs 22 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
安森美半导体 SiC MOSFET 采用全新技术，与硅相比开关性能更优越，可靠性更高。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。因此,系统优势包括最高效率、更快的操作频率、更高的功率密度、更低的 EMI 和更小的系统尺寸。
超低栅极电荷
高速开关，低电容
100%的雪崩测试
设备不含卤化物，符合 RoHS 标准