onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 67 A, TO-247-4L, 通孔安装, 4引脚, NTH4L023N065M3S, NTH系列
- RS 库存编号:
- 277-043
- 制造商零件编号:
- NTH4L023N065M3S
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 件）*
¥68.29
(不含税)
¥77.17
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年5月21日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB68.29 |
| 10 - 99 | RMB61.48 |
| 100 - 499 | RMB56.72 |
| 500 - 999 | RMB52.63 |
| 1000 + | RMB42.71 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 277-043
- 制造商零件编号:
- NTH4L023N065M3S
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 67A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-247-4L | |
| 系列 | NTH | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 23mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 22 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 69nC | |
| 最大功耗 Pd | 245W | |
| 正向电压 Vf | 6V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free 2LI | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 67A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-247-4L | ||
系列 NTH | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 23mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 22 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 69nC | ||
最大功耗 Pd 245W | ||
正向电压 Vf 6V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free 2LI | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
安森美半导体 SiC MOSFET 专为快速开关应用而优化。平面技术可在负栅极电压驱动下可靠运行，并可关闭栅极上的尖峰。使用 18V 栅极驱动时性能最佳，但使用 15V 栅极驱动时效果也很好。
超低栅极电荷
高速开关，低电容
100%的雪崩测试
设备不含卤化物，符合 RoHS 标准