onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=40V, 310 A, DFN8, 贴片安装, 8引脚, NTM系列
- RS 库存编号:
- 277-046
- 制造商零件编号:
- NTMFSC0D8N04XMTWG
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB9.34 | RMB46.70 |
| 50 - 95 | RMB8.872 | RMB44.36 |
| 100 - 495 | RMB8.21 | RMB41.05 |
| 500 - 995 | RMB7.568 | RMB37.84 |
| 1000 + | RMB7.276 | RMB36.38 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 277-046
- 制造商零件编号:
- NTMFSC0D8N04XMTWG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 310 A | |
| 最大漏源电压 | 40V | |
| 封装类型 | DFN8 | |
| 系列 | NTM | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 晶体管材料 | 硅 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 310 A | ||
最大漏源电压 40V | ||
封装类型 DFN8 | ||
系列 NTM | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
晶体管材料 硅 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
安森美半导体功率 MOSFET 技术具有同类最佳导通电阻，适用于电机驱动器应用。更低的导通电阻和更少的栅极电荷可降低传导损耗和驱动损耗。良好的体二极管反向恢复软度控制可减少电压尖峰应力，而无需额外的缓冲电路。
超低栅极电荷
高速开关，低电容
软体二极管反向恢复
电阻极低，可最大限度地减少传导损耗
设备无铅，符合 RoHS 标准
高速开关，低电容
软体二极管反向恢复
电阻极低，可最大限度地减少传导损耗
设备无铅，符合 RoHS 标准