制造商编号

onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=310 A, 8针, DFN-8, NTM系列

RS 库存编号:: 277-046
制造商零件编号:: NTMFSC0D8N04XMTWG
制造商:: onsemi

onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=310 A, 8针, DFN-8, NTM系列

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单位	每单位	Per Tape*
5 - 45	RMB11.142	RMB55.71
50 - 95	RMB10.584	RMB52.92
100 - 495	RMB9.794	RMB48.97
500 - 995	RMB9.028	RMB45.14
1000 +	RMB8.68	RMB43.40

* 参考价格

RS 库存编号:: 277-046
制造商零件编号:: NTMFSC0D8N04XMTWG
制造商:: onsemi

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	310A
	最大漏源电压 Vd	40V
	包装类型	DFN-8
	系列	NTM
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.78mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	135W
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	72nC
	正向电压 Vf	800mV
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	Pb-Free, RoHS
	长度	5.1mm
	宽度	6.15mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 onsemi
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 310A
	最大漏源电压 Vd 40V
	包装类型 DFN-8
	系列 NTM
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.78mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 135W
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 72nC
	正向电压 Vf 800mV
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 Pb-Free, RoHS
	长度 5.1mm
	宽度 6.15mm
	汽车标准否

Datasheet - NTMFSC0D8N04XMTWG

COO (Country of Origin):: PH

安森美半导体功率 MOSFET 技术具有同类最佳导通电阻，适用于电机驱动器应用。更低的导通电阻和更少的栅极电荷可降低传导损耗和驱动损耗。良好的体二极管反向恢复软度控制可减少电压尖峰应力，而无需额外的缓冲电路。

超低栅极电荷

高速开关，低电容

软体二极管反向恢复

电阻极低，可最大限度地减少传导损耗

设备无铅，符合 RoHS 标准

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