onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 310 A, DFN-8, 表面安装, 8引脚, NTMFSC0D8N04XMTWG, NTM系列
- RS 库存编号:
- 277-046
- 制造商零件编号:
- NTMFSC0D8N04XMTWG
- 制造商:
- onsemi
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小计（1 卷，共 5 件）*
¥46.70
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB9.34 | RMB46.70 |
| 50 - 95 | RMB8.872 | RMB44.36 |
| 100 - 495 | RMB8.21 | RMB41.05 |
| 500 - 995 | RMB7.568 | RMB37.84 |
| 1000 + | RMB7.276 | RMB36.38 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 277-046
- 制造商零件编号:
- NTMFSC0D8N04XMTWG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 310A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | NTM | |
| 包装类型 | DFN-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.78mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 72nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 135W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | Pb-Free, RoHS | |
| 长度 | 5.1mm | |
| 宽度 | 6.15 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 310A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 NTM | ||
包装类型 DFN-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.78mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 72nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 135W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 Pb-Free, RoHS | ||
长度 5.1mm | ||
宽度 6.15 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
安森美半导体功率 MOSFET 技术具有同类最佳导通电阻，适用于电机驱动器应用。更低的导通电阻和更少的栅极电荷可降低传导损耗和驱动损耗。良好的体二极管反向恢复软度控制可减少电压尖峰应力，而无需额外的缓冲电路。
超低栅极电荷
高速开关，低电容
软体二极管反向恢复
电阻极低，可最大限度地减少传导损耗
设备无铅，符合 RoHS 标准