onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 198 A, TCPAK57, 表面安装, 10引脚, NTMJST1D4N06CLTXG, NTM系列
- RS 库存编号:
- 277-047
- 制造商零件编号:
- NTMJST1D4N06CLTXG
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB22.126 | RMB110.63 |
| 50 - 95 | RMB21.034 | RMB105.17 |
| 100 - 495 | RMB19.47 | RMB97.35 |
| 500 - 995 | RMB17.938 | RMB89.69 |
| 1000 + | RMB17.256 | RMB86.28 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 277-047
- 制造商零件编号:
- NTMJST1D4N06CLTXG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 198A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TCPAK57 | |
| 系列 | NTM | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 10 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.49mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 116W | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 92.2nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS, Pb-Free | |
| 长度 | 5.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 198A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TCPAK57 | ||
系列 NTM | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 10 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.49mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 116W | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 92.2nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS, Pb-Free | ||
长度 5.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
安森美半导体 MOSFET 是一款功率单 N 沟道晶体管，额定电压 60V，导通电阻 1.49mΩ，电流容量 198A。其紧凑型 TCPAK57 5x7mm 封装可确保高效散热性能，是电源管理、电机控制和 DC-DC 转换应用的理想之选。
优化的顶部冷却封装可从顶部散热
占地面积小，设计紧凑
超低 RDS(on)，提高系统效率
设备无铅，符合 RoHS 标准