制造商编号

onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 198 A, TCPAK57, 贴片安装, 10引脚, NTM系列

RS 库存编号:: 277-047P
制造商零件编号:: NTMJST1D4N06CLTXG
制造商:: onsemi

onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 198 A, TCPAK57, 贴片安装, 10引脚, NTM系列

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制造商零件编号:: NTMJST1D4N06CLTXG
制造商:: onsemi

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	通道类型	N
	最大连续漏极电流	198 A
	最大漏源电压	60 V
	封装类型	TCPAK57
	系列	NTM
	安装类型	贴片
	引脚数目	10
	通道模式	增强
	每片芯片元件数目	1
	晶体管材料	硅

	选择全部
	品牌 onsemi
	通道类型 N
	最大连续漏极电流 198 A
	最大漏源电压 60 V
	封装类型 TCPAK57
	系列 NTM
	安装类型贴片
	引脚数目 10
	通道模式增强
	每片芯片元件数目 1
	晶体管材料硅

Datasheet - NTMJST1D4N06CLTXG

COO (Country of Origin):: PH

安森美半导体 MOSFET 是一款功率单 N 沟道晶体管，额定电压 60V，导通电阻 1.49mΩ，电流容量 198A。其紧凑型 TCPAK57 5x7mm 封装可确保高效散热性能，是电源管理、电机控制和 DC-DC 转换应用的理想之选。