制造商编号

onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=80V, 131.5 A, TCPAK10, 贴片安装, 10引脚, NTM系列

RS 库存编号:: 277-048P
制造商零件编号:: NTMJST2D6N08HTXG
制造商:: onsemi

onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=80V, 131.5 A, TCPAK10, 贴片安装, 10引脚, NTM系列

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RS 库存编号:: 277-048P
制造商零件编号:: NTMJST2D6N08HTXG
制造商:: onsemi

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	通道类型	N
	最大连续漏极电流	131.5 A
	最大漏源电压	80V
	封装类型	TCPAK10
	系列	NTM
	安装类型	贴片
	引脚数目	10
	通道模式	增强
	晶体管材料	硅
	每片芯片元件数目	1

	选择全部
	品牌 onsemi
	通道类型 N
	最大连续漏极电流 131.5 A
	最大漏源电压 80V
	封装类型 TCPAK10
	系列 NTM
	安装类型贴片
	引脚数目 10
	通道模式增强
	晶体管材料硅
	每片芯片元件数目 1

Datasheet - NTMJST2D6N08HTXG

COO (Country of Origin):: PH

安森美半导体 MOSFET 是功率单 N 沟道晶体管，额定电压 80V，导通电阻 2.8mΩ，电流容量 131.5A。其紧凑型 TCPAK57 5x7mm 封装具有出色的散热性能，适用于高效电源管理、电机控制和直流-直流转换应用。