onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 38 A, PIM22, 卡入式安装, 22引脚, NXH030F120M3F1PTG, NXH系列
- RS 库存编号:
- 277-054P
- 制造商零件编号:
- NXH030F120M3F1PTG
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计 10 件 (按托盘提供)*
¥6,188.40
(不含税)
¥6,992.90
(含税)
有库存
- 28 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 + | RMB618.84 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 277-054P
- 制造商零件编号:
- NXH030F120M3F1PTG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 38A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 系列 | NXH | |
| 包装类型 | PIM22 | |
| 安装类型 | 卡入式安装 | |
| 引脚数目 | 22 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 38.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 22 V | |
| 最大功耗 Pd | 34.2W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 110nC | |
| 正向电压 Vf | 6V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 38A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
系列 NXH | ||
包装类型 PIM22 | ||
安装类型 卡入式安装 | ||
引脚数目 22 | ||
最大漏源电阻 Rd 38.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大栅源电压 Vgs 22 V | ||
最大功耗 Pd 34.2W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 110nC | ||
正向电压 Vf 6V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
安森美半导体电源模块包含一个 30 mΩ、1200V SiC MOSFET 全桥和一个热敏电阻，采用 Al2O3 DBC（直接键合铜）F1 封装。这种高性能模块专为高效电源转换而设计，是太阳能逆变器、不间断电源 (UPS)、电动汽车充电站和工业电源系统等应用的理想之选。
无铅
无卤素，符合 RoHS 标准