制造商编号

onsemi N型沟道增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 42 A, PIM18, 卡入式安装, 18引脚, NXH系列

RS 库存编号:: 277-056P
制造商零件编号:: NXH030P120M3F1PTG
制造商:: onsemi

onsemi N型沟道增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 42 A, PIM18, 卡入式安装, 18引脚, NXH系列

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RS 库存编号:: 277-056P
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制造商:: onsemi

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	42A
	最大漏源电压 Vd	1200V
	包装类型	PIM18
	系列	NXH
	安装类型	卡入式安装
	引脚数目	18
	最大漏源电阻 Rd	38.5mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	110nC
	正向电压 Vf	6V
	最低工作温度	-40°C
	最大功耗 Pd	100W
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 onsemi
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 42A
	最大漏源电压 Vd 1200V
	包装类型 PIM18
	系列 NXH
	安装类型卡入式安装
	引脚数目 18
	最大漏源电阻 Rd 38.5mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 110nC
	正向电压 Vf 6V
	最低工作温度 -40°C
	最大功耗 Pd 100W
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - NXH030P120M3F1PTG

安森美半导体电源模块包含一个 30 mΩ、1200V SiC MOSFET 半桥和一个热敏电阻，全部采用 F1 封装。该模块专为高效电源转换而设计，是太阳能逆变器、不间断电源 (UPS)、电动汽车充电站和工业电源系统等应用的理想之选。

压入式插销

无卤素，符合 RoHS 标准

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