onsemi P型, N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 192 A, PIM44, 卡入式安装, 44引脚, NXH600B100H4Q2F2PG, NXH系列
- RS 库存编号:
- 277-057
- 制造商零件编号:
- NXH600B100H4Q2F2PG
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 277-057
- 制造商零件编号:
- NXH600B100H4Q2F2PG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型, N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 192A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 包装类型 | PIM44 | |
| 系列 | NXH | |
| 安装类型 | 卡入式安装 | |
| 引脚数目 | 44 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 511W | |
| 正向电压 Vf | 1.55V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 766nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型, N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 192A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
包装类型 PIM44 | ||
系列 NXH | ||
安装类型 卡入式安装 | ||
引脚数目 44 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 511W | ||
正向电压 Vf 1.55V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 766nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
安森美半导体混合型三通道对称升压模块每个通道有两个 1000V、200A IGBT 和两个 1200V、60A SiC 二极管，以及一个用于温度监测的 NTC 热敏电阻。该模块采用沟槽现场止动技术，效率高，可显著降低开关损耗和系统功耗。其设计提供了高功率密度，适合需要最佳性能和热管理的高功率应用。
低电感布局
封装高度低
无铅
无卤素，符合 RoHS 标准