onsemi N/P沟道增强型MOS管, 192 A, PIM44, 卡入式安装, 44引脚, NXH系列

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包装方式：
RS 库存编号:
277-057P
制造商零件编号:
NXH600B100H4Q2F2PG
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

通道类型

N，P

最大连续漏极电流

192 A

最大漏源电压

1000 V、1200 V

封装类型

PIM44

系列

NXH

安装类型

卡入式

引脚数目

44

通道模式

增强

每片芯片元件数目

6

晶体管材料

SiC

安森美半导体混合型三通道对称升压模块每个通道有两个 1000V、200A IGBT 和两个 1200V、60A SiC 二极管，以及一个用于温度监测的 NTC 热敏电阻。该模块采用沟槽现场止动技术，效率高，可显著降低开关损耗和系统功耗。其设计提供了高功率密度，适合需要最佳性能和热管理的高功率应用。

低电感布局
封装高度低
无铅
无卤素，符合 RoHS 标准