onsemi N/P沟道增强型MOS管, Vds=1200V, 800A, PIM11, 通孔安装, 11引脚, NXH系列

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包装方式：
RS 库存编号:
277-059
制造商零件编号:
NXH800H120L7QDSG
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

通道类型

N，P

最大连续漏极电流

800A

最大漏源电压

1200V

封装类型

PIM11

系列

NXH

安装类型

通孔

引脚数目

11

通道模式

增强

晶体管材料

硅

每片芯片元件数目

2

COO (Country of Origin):
CN
安森美半导体半桥 IGBT 电源模块集成了场截止沟道 7 IGBT 和第 7 代二极管，提供更低的传导和开关损耗。这种设计实现了高效率和卓越的可靠性。该模块配置为 1200V、800A 的二合一半桥，非常适合需要强劲性能和最佳电源转换效率的应用。

NTC 热敏电阻
隔离底板
可焊接引脚
低电感布局
无铅