onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 76 A, 电源 56, 表面安装, 56引脚, FDMS8333LN, NXH系列
- RS 库存编号:
- 277-063
- 制造商零件编号:
- FDMS8333LN
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | RMB5.617 | RMB56.17 |
| 100 - 240 | RMB5.335 | RMB53.35 |
| 250 - 490 | RMB4.94 | RMB49.40 |
| 500 - 990 | RMB4.546 | RMB45.46 |
| 1000 + | RMB4.384 | RMB43.84 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 277-063
- 制造商零件编号:
- FDMS8333LN
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 76A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | NXH | |
| 包装类型 | 电源 56 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 56 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.7mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 46nC | |
| 最大功耗 Pd | 69W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 宽度 | 5.1 mm | |
| 长度 | 6.15mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 76A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 NXH | ||
包装类型 电源 56 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 56 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.7mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 46nC | ||
最大功耗 Pd 69W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 1.1mm | ||
宽度 5.1 mm | ||
长度 6.15mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
安森美半导体 N 沟道 MOSFET 专用于提高采用同步或传统开关 PWM 控制器的 DC/DC 转换器的整体能效，并最大限度地减少开关节点振铃。它针对低栅极电荷、低 RDS(ON)、快速开关速度以及体二极管反向恢复性能进行了优化。
100% 通过 UIL 测试
MSL 1 坚固的封装设计
符合 RoHS 标准