onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=76 A, 56针, 电源 56, NXH系列

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包装方式：
RS 库存编号:
277-063
制造商零件编号:
FDMS8333LN
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

76A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

NXH

包装类型

电源 56

安装类型

表面

引脚数目

56

最大漏源电阻 Rd

4.7mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

46nC

最大功耗 Pd

69W

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.3V

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

宽度

5.1mm

长度

6.15mm

高度

1.1mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
PH
安森美半导体 N 沟道 MOSFET 专用于提高采用同步或传统开关 PWM 控制器的 DC/DC 转换器的整体能效，并最大限度地减少开关节点振铃。它针对低栅极电荷、低 RDS(ON)、快速开关速度以及体二极管反向恢复性能进行了优化。

100% 通过 UIL 测试

MSL 1 坚固的封装设计

符合 RoHS 标准

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