Infineon Dual N沟道耗尽型MOS管, Vds=1700 v, 1.8 千安, 托盘, 螺钉安装, XHP系列
- RS 库存编号:
- 277-192
- 制造商零件编号:
- FF1800XTR17T2P5BPSA1
- 制造商:
- Infineon
不可供应
RS 不再对该产品备货。
- RS 库存编号:
- 277-192
- 制造商零件编号:
- FF1800XTR17T2P5BPSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | Dual N | |
| 最大连续漏极电流 | 1.8 千安 | |
| 最大漏源电压 | 1700 v | |
| 封装类型 | 托盘 | |
| 系列 | XHP | |
| 安装类型 | 螺钉 | |
| 通道模式 | 耗尽 | |
| 晶体管材料 | SiC | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 Dual N | ||
最大连续漏极电流 1.8 千安 | ||
最大漏源电压 1700 v | ||
封装类型 托盘 | ||
系列 XHP | ||
安装类型 螺钉 | ||
通道模式 耗尽 | ||
晶体管材料 SiC | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
英飞凌 IGBT 模块是一款 XHP 2 1700 V、1800 A 双 IGBT 模块，采用 .XT 互联技术和 TRENCHSTOP IGBT5，具有高可靠性和坚固性，以及系统可用性和长使用寿命，适用于大功率牵引和风能应用。
铜键可实现大电流承载能力
烧结芯片，实现最高功率循环能力
输出功率相同时，冷却工作量更少
实现更高的系统过载条件
烧结芯片，实现最高功率循环能力
输出功率相同时，冷却工作量更少
实现更高的系统过载条件