Infineon P沟道耗尽型MOS管, Vds=4500 V, 1.2 千安, 托盘, 底盘安装, FZ1200系列
- RS 库存编号:
- 277-198
- 制造商零件编号:
- FZ1200R45HL4BPSA1
- 制造商:
- Infineon
不可供应
RS 不再对该产品备货。
- RS 库存编号:
- 277-198
- 制造商零件编号:
- FZ1200R45HL4BPSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 1.2 千安 | |
| 最大漏源电压 | 4500 V | |
| 封装类型 | 托盘 | |
| 系列 | FZ1200 | |
| 安装类型 | 底盘 | |
| 通道模式 | 耗尽 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 3 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 1.2 千安 | ||
最大漏源电压 4500 V | ||
封装类型 托盘 | ||
系列 FZ1200 | ||
安装类型 底盘 | ||
通道模式 耗尽 | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 3 | ||
- COO (Country of Origin):
- HU
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高功率密度
适用于紧凑型逆变器设计
标准化房屋
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