Infineon P型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=4500 V, 1.2 kA, 托盘, 底盘安装, FZ1200R45HL4S7BPSA1, FZ1200系列
- RS 库存编号:
- 277-199
- 制造商零件编号:
- FZ1200R45HL4S7BPSA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 277-199
- 制造商零件编号:
- FZ1200R45HL4S7BPSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1.2kA | |
| 最大漏源电压 Vd | 4500V | |
| 包装类型 | 托盘 | |
| 系列 | FZ1200 | |
| 安装类型 | 底盘 | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 最大功耗 Pd | 2400kW | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 正向电压 Vf | 2.95V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 1.2kA | ||
最大漏源电压 Vd 4500V | ||
包装类型 托盘 | ||
系列 FZ1200 | ||
安装类型 底盘 | ||
通道模式 消耗 | ||
最大功耗 Pd 2400kW | ||
最低工作温度 -40°C | ||
正向电压 Vf 2.95V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- HU
英飞凌 IGBT 模块是一款 IHV-B 4500 V、1200 A 190 mm 单开关 IGBT 模块，带有沟槽/场截止 IGBT4、发射极受控 4 二极管和隔离式 AlSiC 底板。为您的行业应用提供最佳解决方案。
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